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13、一種采用AlGaInN四元材料作為量子阱和量子壘的LED結構及其制備方法
2016-12-4
發明名稱：
一種采用AlGaInN四元材料作為量子阱和量子壘的LED結構及其制備方法，專利號：
ZL201110082441.7。
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